Infineon präsentiert die 700-V-MOSFET-Familie CoolMOS P7, die sowohl bestehende als auch künftige quasiresonante Flyback-Topologien adressiert. Nach Angaben von Infineon lassen sich mit den neuen MOSFETs im Vergleich zu Wettbewerbsprodukte die Schaltverluste um 27 bis 50 % senken. Dies führt in flyback-basierten Ladegeräten zu einer Effizienzsteigerung um bis zu 3,9 %, während die Temperatur des Bauteils um bis zu 16 K geringer ist.